移動出行

三代寬禁帶半導體（以碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN為代表）憑借其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，正在深刻變革移動出行領域的功率電子系統。

其核心應用集中于新能源汽車的電驅動系統和能源補給系統。在電驅主逆變器中，碳化硅（SiC）功率模塊可以顯著降低能量損耗，提升電力轉換效率。這不僅能讓電機運行更高效，還能直接為電動汽車增加約10%的續航里程，同時減小電驅系統的體積和重量。

在充電方面，SiC器件是構建800V高壓快充平臺的關鍵。無論是車載充電機（OBC）還是直流超充樁，使用SiC方案都能實現更高的開關頻率和更低的發熱，從而將充電速度提升數倍，實現“充電5分鐘，續航200公里”的體驗，并讓充電設備更輕便、成本更低。

總之，三代半導體通過提升能效和充電效率，正直接解決電動汽車的續航與充電焦慮，是推動汽車電動化發展的核心驅動力。