揭秘芯干線：用硬核技術，定義功率器件新高度！
芯干線半導體
氮化鎵及碳化硅功率器件領導品牌
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芯干線，是一個專注于第三代半導體功率器件及模塊的研發、銷售和應用技術服務的品牌。由功率半導體資深海歸博士、電源行業市場精英和一群有創業夢想的年輕專業人士所創建的寬禁帶功率器件原廠。2022 年獲評規模以上企業，2023 年躋身國家級科技型中小企業、國家級高新技術企業，通過 ISO9001 生產質量管理體系認證；2024 年順利通過 IATF16949 汽車級零部件生產質量管理體系認證，斬獲 ASpencore 中國IC設計成就獎等獎項；2025 年再獲江蘇省潛在獨角獸、江蘇省創新企業等殊榮。
芯干線自成立以來，深耕于功率半導體GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發、銷售和應用技術服務。產品被廣泛應用于海洋電子、移動出行、電動工具、低空飛行、消費電子、Ai算力等能源電力轉換與應用領域。
費米電氣總部位于浙江舟山，分公司遍布南京、深圳、蘇州、鹽城等國內多地，并延伸至北美與臺灣地區，業務版圖不斷拓展中。
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芯干線的優勢：
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強大專家團隊
海歸博士領銜，集結頂尖功率器件和電源領域精英
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垂直整合理念
以功率半導體技術為核心，垂直整合資源，實現芯片、模塊和電源模塊的最佳融合
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人性化的解決方案
場景定制技術，讓能效革命更懂您的需求
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強化技術壁壘
120+核心專利構筑第三代半導體護城河
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核心產品介紹：
GaN?HEMT
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芯干線GaN HEMT 產品，憑借超高頻、高效、低損耗的核心優勢，可實現更高功率密度與更小體積，適配多元場景需求。
其產品系列涵蓋多型號，以 700V 耐壓為核心特性，IDS（漏極電流）覆蓋 8A-50A 區間，如 X3G6503ATL 型號支持 50A 大電流，滿足高功率場景；RDS (on)（導通電阻）低至 32mΩ，搭配低至 1.5nC 的 Qg（柵極電荷），有效降低損耗、提升效率。
封裝形式包含 TOLT、DFN 等多規格，兼顧集成度與適配性，可廣泛應用于新能源、儲能、通信等領域，為終端設備提供高效緊湊的功率解決方案。
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SiC MOSFET
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芯干線 SiC MOSFET 覆蓋 650V-1700V 電壓區間，具備高耐壓、低導通電阻特性，適配新能源、儲能等高壓高頻場景。
1700V 款（XM17001KT4）：1700V/5A，導通電阻 1.0mΩ，兼顧高壓小電流需求；1200V 系列含多規格，如 1XST120016SMC 達 1200V/88A，導通電阻僅 16mΩ，支持超大功率場景；650V 系列則有 X2M65020TL4 等型號，110A 大電流 + 22mΩ 低內阻，適配中大功率應用。
全系列通過不同電壓、電流組合，匹配各類高壓功率變換場景，助力設備高效低耗運行。
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SiC SBD
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SiC SBD具備零反向恢復、高壓高頻特性（1700V+），開關損耗降85%；采用TO/DFN等分立封裝；適配新能源車OBC、光伏逆變及充電樁，顯著提升效率密度。
芯干線 SiC 肖特基二極管（SiC SBD）覆蓋 650V、1200V 電壓等級，兼具低正向壓降與高電流耐受性，適配高效電源、工業電子等場景。
650V 系列提供多規格：小封裝款（如 XD065A0065）為 650V/6A，DFN56 封裝；中功率款（如 XD6506F8）達 650V/22A，DFN88-4L 封裝；大功率款（如 XD065A020T4A）支持 650V/30A（@135℃），TO-247-2 封裝，浪涌電流達 160A。
1200V 款（XD120A020T4A）為 1200V/20A（@150℃），TO-247-2 封裝，浪涌電流 144A。全系列通過不同封裝與參數組合，滿足多場景高效整流需求。
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發展歷程：
2020年10月，公司在蘇州成立
2021年4月，深圳辦公室正式開業
2021年7月，第一批氮化鎵批量出貨
2021年11月，公司總部喬遷南京總部基地
2021年12月，SIC MOSFET批量出貨。
2022年4月，獲評“中國中小企業成長標桿企業”稱號
2022年12月，SIC MOSFET批量出貨突破2KK，GaN出貨1KK。
2023年1月，榮獲“中國GaN功率器件十強”稱號
2023年1月，進入國內電驅主驅前五供應商目錄
2023年2月，獲得功率器件行業新銳獎、SIC行業優秀獎
2023年11月，取得《ISO9001:2016質量管理體系認證》資質證書
2023年12月，通過國家高新技術企業認證
2024年4月，進入全球頭端數據中心供應商供應鏈白名單
2024年5月，IATF16949生產質量體系認證
2024年6月，聯合瑞薩半導體簽訂戰略合作協議，共建三代半數字電源實驗室
2024年6月，進入國內頭部汽車主機廠供應商目錄
2024年7月，鹽城模塊封裝廠量產
2024年12月，榮獲“2024年第三代半導體應用推動突破獎”
2025年3月，在 2025 年度“中國IC設計成就獎頒獎典禮”上，芯干線憑借氮化鎵功率模塊X3G65045HMB（650V/45mΩ/半橋模塊）脫穎而出，榮獲「年度最佳功率器件 / 寬禁帶器件」獎項
2025年3月，亮相美國APEC展，產品和技術獲得國際市場用戶認可
2025年7月，提前圓滿完成2025年全年銷售目標！
2025年8月，芯干線&瑞薩電子攜手亮相“elexcon2025深圳國際電子展”參展
2025年10月，成功斬獲 “2025 年江蘇省潛在獨角獸企業”與 “2025 年創新型中小企業” 雙重榮譽認證。
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應用領域：
海洋電子
三代半導體（碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN）功率器件，憑借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋電子領域應用前景廣闊。它們可提升船艦動力、深海勘探設備等的能源效率，降低散熱需求，增強海洋惡劣環境適應性，助力設備小型輕量化，還能支撐海上風電等新能源電力轉換傳輸及岸基 / 船基充電，為海洋資源開發提供先進電子硬件保障。
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移動出行
以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的三代寬禁帶半導體，憑耐高壓、耐高溫、高頻高效特性變革移動出行功率電子系統。其應用于新能源汽車電驅主逆變器，可降損耗、提效率，增約 10% 續航并精簡體積重量；賦能 800V 高壓快充平臺，大幅提升充電速度，破解續航與充電焦慮，是汽車電動化核心驅動力。
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低空飛行
三代寬禁帶半導體（碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN）功率器件憑借其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，在低空飛行器（如無人機和eVTOL）的電驅動系統中扮演著核心角色，顯著提升了飛行器的性能與可靠性。
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AI算力
三代寬禁帶半導體（尤其是碳化硅-SiC和氮化鎵-GaN）功率器件，以其耐高壓、耐高溫、高頻高效的特性，正成為提升AI算力基礎設施能源效率的關鍵。
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能源與動力
碳化硅（SiC）器件與硅基 IGBT 模組是現代能源電力電子核心。SiC 憑高頻高效耐高溫特性，革新光伏、新能源車等領域，降本增效；IGBT 模組性價比突出，主導大功率場景。二者長期互補，助力電力系統升級，是 “雙碳” 戰略重要技術支撐。
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消費電子
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在消費電子技術迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）三類半導體材料各展所長，共同推動產品升級。其中，傳統硅基器件憑借成熟工藝和成本優勢，長期支撐消費電子基礎電路運行，是行業發展的基石。
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電動工具
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的三代寬禁帶半導體，正重塑電動工具性能格局。SiC 器件高頻高效的特性，能提升無繩電動工具電機轉速與扭矩，延長續航；GaN HEMT 則憑借超高開關速度，打造小巧輕便的超快充充電器，20 分鐘即可滿電，大幅提升使用效率與便利性。
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費米電氣集團旗下子公司：
芯干線
費米電氣旗下專注于功率半導體器件與模塊設計研發制造的核心企業
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費米能級
費米電氣旗下聚焦終端市場的高端電源模塊品牌，核心產品線覆蓋工業級與消費級電源模塊
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中孚檢測
中孚檢測是費米電氣旗下的專業檢測服務公司，專注于半導體器件及模塊的可靠性測試。
