首先,GaN 器件可實現更緊湊的電源系統,單位體積可傳輸更多功率。GaN 器件的工作頻率遠高于傳統硅器件。典型 GaN 器件允許變換器在數十兆赫(MHz)頻率下工作,從而顯著減小電感器、變壓器和電容器等無源元件的尺寸。這使得整個功率轉換系統體積更小、重量更輕、成本更低。對于空間受限和預算緊張的應用場景,如航空航天、機械臂、無人機及邊緣通信等行業,小巧輕便的電源系統尤為理想。使用 GaN 器件的 5G 基站電源可實現更高的能效與更小的占用空間,這對熱管理嚴格、設備密集的通信系統至關重要。
第五,GaN 器件適用于更廣泛的電壓范圍。它們在低壓至高壓(從消費級快充器到 600V 以上的工業電源)應用中均可高效運行,具備極強的適應性。便攜消費類產品同樣能從 GaN 技術中獲益。基于 GaN 的手機及筆記本電腦充電器不僅充電速度更快,尺寸也更小,便于用戶攜帶,極大提升了日常使用的便利性。
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下表為?GaN 與硅器件在實際應用中的綜合對比:
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芯干線的解決方案
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芯干線公司已開發出適用于寬電壓范圍的 GaN 器件,包括 GaN HEMT 和 GaN 模塊,可供客戶靈活選擇。客戶可根據電壓、電流等級、導通電阻及封裝尺寸等參數選擇合適的 GaN 器件。由于集成了 GaN HEMT 與柵極驅動器,芯干線公司的 GaN 模塊(如 X3G65045HMB 和XG045HB065G1)為工程師提供了高效且易于設計的解決方案。
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