概述
芯干線碳化硅MOSFET采用業內最先進的碳化硅工藝，實現了更高的溝道遷移率和更低的導通電阻，兼具卓越的開關性能與超越車規級的可靠性。
其核心性能優勢包括：支持高頻開關，顯著減小無源器件體積；更高工作結溫，提升功率密度；極低的開關損耗和導通損耗，助力系統實現超高能效。
該產品系列覆蓋廣泛電壓范圍，是新能源汽車電驅、OBC、光伏逆變器、工業電源及數據中心服務器等高壓、高效率應用的理想選擇。
參數
VDS [V]
1700
IDS[A] @25°C
5
VGS-max [V]
-10/+25
VGS(th)[V] @25°C
2.6
RDS(on)[mΩ] @VGS=18V
1.0@(20V)
Qg[nC]
23
封裝形式
TO-247-3
可靠性
工規
狀態
產品在售
特點
-
????高阻斷電壓SiC 材料擊穿場強高，器件耐壓等級可達數千上萬伏 -
????低導通電阻導通電阻小，發熱少，能效提升顯著，減少散熱需求 -
????高速切換與低電容開關速度快，寄生電容小，開關損耗低，適合高頻應用 -
????易于并行和簡單驅動管并聯方便，驅動方式簡單，設計靈活，可靠性高 -
????耐高溫更高工作結溫，提升功率密度，結溫高達175℃以上，
應用范圍
碳化硅MOSFET適用于新能源汽車電驅、OBC、光伏逆變器、工業電源及數據中心服務器。憑借高頻、高效、耐高溫特性，可顯著提升系統能效、降低損耗與體積，并增強可靠性。
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