概述
芯干線650V/60mΩ SIC MOSFET功率模塊，采用Ex1B封裝與PIM拓撲，集成了整流、制動與三相逆變功能。其碳化硅技術帶來高頻高效、低開關損耗的卓越性能，顯著提升系統功率密度和可靠性。非常適用于伺服驅動器、工業變頻器等緊湊型高性能應用，能顯著簡化系統設計并提升能效。
參數
VDS[V]
650
R[mΩ]/I[A]
60
電路拓撲
PIM
封裝形式
N1
狀態
產品在售
特點
-
????低開關損耗開關速度快，發熱量少，能效提升顯著，減少散熱需求 -
????高頻應用寄生電容小可實現高速切換，開關損耗低，適合高頻應用 -
????高溫穩定性更高工作結溫，提升功率密度，結溫高達175℃以上
應用范圍
650V/60mΩ SIC MOSFET功率模塊，采用Ex1B封裝與集成PIM拓撲。模塊采用Kelvin連接，其高頻高效特性可顯著提升光伏儲能、工業電機驅動、工業變頻器等系統的功率密度與能效，同時有助于降低系統整體成本，為設備升級提供了高性價比解決方案。
高頻開關應用
光伏儲能逆變器
不間斷電源系統
