概述
這款100V/1.3mΩ硅MOSFET采用TOLL封裝，具備極低的導通電阻和出色的散熱能力，其低寄生電感特性有助于優化EMI表現。該封裝相比TO-263節省約30%的PCB面積，厚度減少50%，支持高功率密度設計。產品適用于電動汽車DC-DC轉換器、電池管理系統及高效服務器電源等場景，能有效提升系統效率和可靠性。
參數
VDS[V]
100
IDS[A]@25℃
325
VGS-max [V]
±20
VGS(th)[V] @25℃
3.1
RDS(on)[mΩ] @VGS=10V
1.3
Qg[nC]
137
封裝形式
TOLL
狀態
產品在售
特點
-
????極低的導通損耗低導通電阻最小化導通損耗 -
????優異的魯棒性100%通過雪崩測試篩選和RoHS測試 -
????低開關損耗優化的柵電荷設計最小化開關損耗
應用范圍
100V/1.3mR超低內阻TOLL封裝硅MOS，兼具高頻高效與出色散熱性，助力服務器電源、電動工具及車載系統提升功率密度與可靠性，優化綜合成本。
硬開關和高速電路
SMPS中的同步整流
電信和工業中的DC/DC轉換器
