質(zhì)量
我們對(duì)質(zhì)量的思想方針
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我們的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)化體系和優(yōu)勢(shì)
芯干線科技作為一家專注第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊設(shè)計(jì)研發(fā)的高科技企業(yè)，由行業(yè)專家領(lǐng)銜，匯聚多領(lǐng)域優(yōu)秀人才，一直秉持“誠實(shí)守信、優(yōu)質(zhì)高效、創(chuàng)新發(fā)展、和諧共贏”理念，為多領(lǐng)域客戶提供先進(jìn)應(yīng)用方案及技術(shù)支持。
公司嚴(yán)格遵循IATF16949標(biāo)準(zhǔn)搭建組織架構(gòu)，設(shè)立獨(dú)立質(zhì)量管理部門，破解行業(yè)質(zhì)量部從屬生產(chǎn)部的普遍問題，通過獨(dú)立匯報(bào)機(jī)制、一票否決權(quán)及研發(fā)階段提前介入，實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略同步、風(fēng)險(xiǎn)管控與效益提升。
公司確立明確質(zhì)量與責(zé)任方針，以100%準(zhǔn)時(shí)交付率、≥98%客戶滿意度為目標(biāo)，構(gòu)建全流程質(zhì)量管控體系，核心職責(zé)覆蓋研發(fā)評(píng)審、供應(yīng)鏈管控、客訴響應(yīng)等全環(huán)節(jié)，依托PDCA、5Why等工具持續(xù)優(yōu)化，已獲IATF16949認(rèn)證。
體系聚焦降本增效與風(fēng)險(xiǎn)防控，通過多重管控減少召回投訴，優(yōu)化人力與時(shí)間成本，以輕資產(chǎn)模式控制投入。未來我們將分四階段進(jìn)階，從基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)化到數(shù)字化賦能、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，最終實(shí)現(xiàn)可持續(xù)與國(guó)際化標(biāo)準(zhǔn)，為投資人降低風(fēng)險(xiǎn)、提升話語權(quán)與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
我們做到的
我司單管可靠性項(xiàng)目主要參考AEC-Q101進(jìn)行；根據(jù)AEC-Q101E-2021新版規(guī)范，認(rèn)證測(cè)試通用項(xiàng)目大大小小算起來共有37項(xiàng)，但并非所有的測(cè)試,項(xiàng)目都需要測(cè)試，需要依據(jù)不同的器件類型，封裝形式，安裝方式等等來選擇要進(jìn)行的測(cè)試項(xiàng)目。
認(rèn)證包含了分立半導(dǎo)體元件最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。AEC-Q101中A組、B組試驗(yàn)依據(jù)、條件如下：
| 編號(hào) | 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | notes | 每批樣品個(gè)數(shù) | 批數(shù) | 接受標(biāo)準(zhǔn) | 試驗(yàn)依據(jù) | 主要試驗(yàn)條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A1 | 預(yù)處理 | PC | GS | 77 | 3 | 0 Fails | J-STD-020
JESD22A113 |
僅在測(cè)試A2、A3、A4、A5和C8之前對(duì)表面貼裝部件(SMD)進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試之前和之后的PC。 |
| A2 | 偏壓高加速應(yīng)力試驗(yàn) | BHAST | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-110 | 1、試驗(yàn)周期：96H，Ta=130℃，RH=85%；
2、Vbe=80%Vbemax，直到電壓超過該電壓時(shí)可能會(huì)在室內(nèi)發(fā)生電弧(通常為42代)； 3、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A2alt | 高溫高濕反偏 | H³TRB | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-101 | 1、試驗(yàn)周期：1000H；
2、Ta=85℃/85%RH； 3、部分Vbe=80%Vbemax，最高可達(dá)100V或室極限； 4、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A3 | 無偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試 | UHAST | DGU | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-118
JESD224-101 |
1、試驗(yàn)周期：96H；
2、Ta=130℃/85%RH； 3、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A3alt | 高溫蒸煮 | AC | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-102 | 1、試驗(yàn)周期：96H；
2、Ta=121℃/100%RH，101kPa； 3、試驗(yàn)前后電測(cè) |
|
| A4 | 溫度循環(huán) | TC | DGUV3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-104
Appendix6 |
1、試驗(yàn)周期:1000循環(huán)；
2、-55℃-到最高額定預(yù)溫，不超過150℃； 3、試驗(yàn)前后電測(cè) 當(dāng)TA(最大)=Timax+25℃或使用TA(最大)=175℃，可將循環(huán)數(shù)減少到400個(gè)循環(huán)=175。 |
| A4a | 溫度循環(huán)熱試驗(yàn) | TCHT | DGUV1，2 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD224-104
Appendix6 |
125℃，然后對(duì)E5中5個(gè)器件的所有導(dǎo)線進(jìn)行開蓋和導(dǎo)線拉力(測(cè)試C3WBP) 用于內(nèi)部焊線直徑小于等于5mil的部件。(樣品可以是測(cè)試A4的一個(gè)子集) |
| A4alt | 溫度循分層試驗(yàn) | TCDT | DGUV1，2 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-104
Appendix6 J-STD-035 |
1、對(duì)TC結(jié)束后的器件進(jìn)行C-Sam試驗(yàn)； 2、從5個(gè)分層最嚴(yán)重的器件中，按appendix 6進(jìn)行開封，并作鍵合線拉力試驗(yàn)； 3、若C-Sam顯示無分層，則不需開封和鍵合線拉力試驗(yàn) |
| A5 | 間歇壽命 | IOL | DGPTUW3 | 77 | 3 | 0 Fails | MIL-STD-750
Method 1037 |
1、試驗(yàn)周期由表2A推算； 2、Ta=25℃； 3、器件通電以確保ΔTJ≥100°C(不要超過絕對(duì)最大額定值)； 4、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| A5alt | 功率溫度循環(huán) | PTC | DGTUW | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-105 |
如果用 IOL 不能達(dá)到Taj=100C，則執(zhí)行PTC。 1、試驗(yàn)周期由表2A推算； 2、Ta=-40-105℃，轉(zhuǎn)換時(shí)間20min，停留時(shí)間10min； 3、lon=lcmax，ton/toff=5min； 4、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| 編號(hào) | 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | notes | 每批樣品個(gè)數(shù) | 批數(shù) | 接受標(biāo)準(zhǔn) | 試驗(yàn)依據(jù) | 主要試驗(yàn)條件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B1 | 高溫反偏 | HTRB | DGKPVX 3 | 77 | 3 | 0 Fails | MIL-STD-750 |
1、試驗(yàn)周期：1000H； 2、Vbe=Vbemax； 3、Ta=150℃，需要根據(jù)漏電流大小調(diào)整； 4、試驗(yàn)前后電測(cè)； 5、Ta=30℃/-5℃時(shí)，才能去除偏置； 6、對(duì)于雙極和肖特基器件(僅在管芯處使用不同金屬(例如AU/AI)的鍵合系統(tǒng)，在HTRB之后在5個(gè)部件上進(jìn)行去蓋和拉絲。鍵應(yīng)該比線更牢固。 |
| B2 | 高溫柵偏 | HTGB | DGMPU3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-108 | 1、試驗(yàn)周期：1000H;
2、Tj達(dá)到額定最大/150℃； 3、VGS=最大額定正電壓，D-S短接； 4、若將結(jié)溫上升25℃℃，則試驗(yàn)周期降至500H； 5、試驗(yàn)前后電測(cè) |
| B2 | 高溫柵偏 | HTGB | DGMPU3 | 77 | 3 | 0 Fails | JESD22A-108 | 1、試驗(yàn)周期：1000H；
2、Tj達(dá)到額定最大/150℃； 3、VGS=最大額定負(fù)電壓，D-S短接； 4、若將結(jié)溫上升25℃，則試驗(yàn)周期降至500H； 5、試驗(yàn)前后電測(cè) |
芯干線單管可靠性方案定制案例
芯干線參考AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行認(rèn)證，為滿足特定應(yīng)用或客戶需要，芯干線支持制定額外的可靠性及質(zhì)量認(rèn)證實(shí)驗(yàn)。
| 項(xiàng)目 | 序號(hào) | 條件 | 簡(jiǎn)稱 | 數(shù)量 | 時(shí)間 | 標(biāo)準(zhǔn) | 備注 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 濕載等級(jí) | 1 | MSL3 |
BARC：125℃24HRS； SOAK： 60℃60MH, 40HRS REFLOW：260℃，3次 |
80只*4 | / | J-STD-020 | 試驗(yàn)前后電性能參數(shù)符合規(guī)格書規(guī)定；
試驗(yàn)前后參數(shù)變化在初始值±20%以內(nèi)； IGSS/IDSS為初始值10倍以內(nèi)； |
48h內(nèi)完成測(cè)試 | 僅表貼器件 |
| 高溫高壓壓偏 | 2 | H3TR8 | Ta=85℃/85%RH
高溫高濕反偏 H3TRB VDS=80V， G-S短接 |
80只 | 1000h | JES022A-101 | 48h內(nèi)完成測(cè)試 | 0h/500h/1000h電測(cè) | |
| 無偏壓高加速壓力測(cè)試 | 3 | UHAST | Ta=130℃ 85%MH | 80只 | 96h | JES022A-118
JESD224-101 |
48h內(nèi)完成測(cè)試 | 0h/48h/96h電測(cè) | |
| 溫度循環(huán) | 4 | TC | 溫度-55℃~150℃℃
溫度循環(huán) TC 轉(zhuǎn)換時(shí)間11min， 保持時(shí)間20min |
80只 | 1000cyc | JES022A-104
Appendix6 |
試驗(yàn)前后電性能參數(shù)符合規(guī)格書規(guī)定；
試驗(yàn)前后參數(shù)變化在初始值±20%以內(nèi)； IGSS/IDSS為初始值5倍以內(nèi)； |
2-48h內(nèi)完成測(cè)試 | 0c/500c/1000cc電測(cè) |
| 間歇壽命 | 5 | IOL |
Ta=75℃，Tvjmax=150℃, ΔTj=100℃; Vg=0V/6V |
80只 | 1000h | MIL-STD-750
Method 1037 |
96h內(nèi)完成測(cè)試 | 0h/500h/1000h電測(cè) | |
| 高溫反偏 | 6 | HTRB | Ta=150℃, VDS=860V, G-S短接 | 80只 | 1000h | JESD22A-108 | 24h內(nèi)完成測(cè)試 | 0h/500h/1000h電測(cè) | |
| 高溫柵偏 | 7 | HTGB | Ta=150℃, VGS=6V, D-S短接 | 80只 | 1000h | JESD22A-108 | 96h內(nèi)完成測(cè)試 | 0h/500h/1000h電測(cè) |
QG324制定了完善的車規(guī)級(jí)功率模塊的可靠性試驗(yàn)流程，可以有效驗(yàn)證產(chǎn)品可靠性，指導(dǎo)廠商更深入了解其產(chǎn)品可靠性能，從而加快產(chǎn)品開發(fā)速度，優(yōu)化工藝流程。
模塊特性測(cè)試主要用于驗(yàn)證功率模塊的基本電氣功能特性和機(jī)械數(shù)據(jù)。
除此之外，這些測(cè)試可以針對(duì)設(shè)計(jì)中與功能退化（功能失效）無關(guān)的薄弱點(diǎn)進(jìn)行早期探測(cè)和評(píng)估，包括元器件的幾何布置、組裝、互連技術(shù)和半導(dǎo)體質(zhì)量。
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模塊特性測(cè)試設(shè)備方案
環(huán)境測(cè)試主要用于驗(yàn)證電力電子模塊在機(jī)動(dòng)車輛中的適用性，包括物理分析、電氣和機(jī)械參數(shù)驗(yàn)證以及測(cè)試絕緣屬性。
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環(huán)境測(cè)試設(shè)備方案
壽命測(cè)試主要是驗(yàn)證產(chǎn)品在規(guī)定條件下的使用壽命、貯存壽命是否達(dá)到規(guī)定的要求，發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)缺陷，確定失效機(jī)理等，例如功率循環(huán)測(cè)試主要是觸發(fā)/激發(fā)電力電子模塊的典型退化機(jī)制。
該過程主要區(qū)分為兩種失效機(jī)制：靠近芯片互連的疲勞失效(chip-near)和距離芯片互連較遠(yuǎn)的疲勞失效(chip-remote)。
兩種失效機(jī)制均由不同材料（具有不同的熱膨脹系數(shù)）之間的熱機(jī)械應(yīng)力引發(fā)。
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壽命試驗(yàn)設(shè)備方案
| 編號(hào) | 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | 試驗(yàn)依據(jù) | 主要試驗(yàn)條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QC-01 | 寄生余散電感 | Lp | 確定了檢測(cè)器件單電流路徑主觸點(diǎn)的寄生余散電感LP | |
| QC-02 | 熱阻值 | Rh | IEC 60747-15:2012, section 5.3.2 (double pulse testing) | |
| QC-03 | 短路閉路 | IEC 60747-15:2012, section 5.3.6 | ||
| QC-04 | 絕緣測(cè)試 | AC | JESD22A-118 | 絕緣電阻：1.預(yù)處理：5±2℃，8h 2.條件：23±5℃，90(+10/-5)RH,86-106kPa，8h 3V ≥ 1.5V/Vbenmax&V ≥ 50W，絕緣電阻≥100MΩ；4.至少每30min記錄一次數(shù)據(jù)，小電強(qiáng)度：1.預(yù)處理：30±2℃直到完全加熱，2.條件：23±5℃，93(+10/-5)RH,86-106kPa，48h 3.測(cè)試后需測(cè)試絕緣電阻≥100MΩ |
| QC-05 | 機(jī)械參數(shù)檢測(cè) | JESD224-102 |
| 編號(hào) | 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | 試驗(yàn)依據(jù) | 主要試驗(yàn)條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QE-01 | 溫度沖擊 | TST | IEC 60749-25:2003條件G | 1.溫度：-40/+125℃，
2.轉(zhuǎn)換時(shí)間≤30s， 3.停留時(shí)間≥15min， 4.循環(huán)次數(shù)≥1000 |
| QE-03 | 機(jī)械振動(dòng) | V | IEC 60068-2-6 | 模擬駕駛操作期間模塊的振動(dòng)負(fù)載，并用于驗(yàn)證模塊對(duì)故障模式（例如設(shè)備分離和材料疲勞）振動(dòng)的抵抗力。 |
| QE-04 | 機(jī)械沖擊 | MS | IEC 60068-2-27 | 1.峰值加速度：500m/s
2.持續(xù)時(shí)間：6ms 3.每個(gè)方向沖擊次數(shù)(±X±Y±Z)10次 4.DUT數(shù)量：6 |
| 編號(hào) | 試驗(yàn)項(xiàng)目 | 簡(jiǎn)稱 | 試驗(yàn)依據(jù) | 主要試驗(yàn)條件/描述 |
|---|---|---|---|---|
| QL-01 | 功率循環(huán) | PCsec | IEC 60749-34:2011 | |
| QL-02 | 功率循環(huán) | Pcmin | IEC 60749-34:2011 | |
| QL-03 | 高溫負(fù)荷 | HTS | IEC 60749-6:2002 | 1.溫度：≥125℃，2.時(shí)間1000h |
| QL-04 | 低溫負(fù)荷 | LTS | JEDEC RESD-22 A119:2015 | 1.溫度：≤-40℃，2.時(shí)間1000h |
| QL-05 | 高溫負(fù)荷 | HTRB | 1.溫度:Tjmax 2.V≥80V max 3.時(shí)間≥1000h | |
| QL-06 | 高溫繼電器 | HTGB | IEC 60747-9:2007 section 7.1.4.1 (IGBT) | 1.溫度:Tjmax 2.VGE=VGE max 3.時(shí)間≥1000h |
| QL-07 | 高溫高濕負(fù)荷 | HSTRB | IEC 60747-8:2010 (MOSFET) | 1.溫度:Tjmax 2.VGS=VGS min 3.時(shí)間≥1000h |
| QL-08 | 高溫高濕負(fù)荷 | HSTRB | IEC 60747-2:2016 (Diode) | 1.溫度:85℃ 濕度85%RH 2.VR=80V max/80V 3.時(shí)間≥1000h |
認(rèn)證
始終以 “技術(shù)立企、研發(fā)驅(qū)動(dòng)” 為核心戰(zhàn)略，芯干線在追求技術(shù)突破的同時(shí)，更將高標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量理念貫穿發(fā)展全程 —— 專利數(shù)量的持續(xù)增長(zhǎng)，便是這一理念的有力佐證。
截至目前，公司自成立以來已斬獲 120 + 項(xiàng)專利，并成功通過兩大權(quán)威質(zhì)量體系認(rèn)證：一是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）制定的 ISO 9001 質(zhì)量管理體系認(rèn)證，二是聚焦行業(yè)特定要求的 IATF 16949 國(guó)際質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，全方位彰顯企業(yè)過硬的質(zhì)量管控能力。
- 通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證
- 通過了IATF16949汽車級(jí)零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證
專利證書
累計(jì)申請(qǐng)120+項(xiàng)專利，覆蓋GaN/SiC器件設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試全鏈條
- 一種功率器件的HTRB可靠性測(cè)試方法
- 一種功率半導(dǎo)體器件制備方法及功率半導(dǎo)體器件
- 一種雙面散熱的集成氮化鎵模塊
- 一種功率器件制備方法和功率器件
- 一種雙溝槽功率器件及其制備方法
- 一種屏蔽柵功率器件的制備方法及屏蔽柵功率器件
- 一種超級(jí)結(jié)MOSFET制備方法和超級(jí)結(jié)MOSFET
- 一種IGBT功率器件制備方法和IGBT功率器件
- 一種碳化硅模塊功率器件結(jié)構(gòu)及其制造工藝
- 一種碳化硅模塊功率器件封裝結(jié)構(gòu)
- 一種IGBT模塊結(jié)構(gòu)
- 一種功率半導(dǎo)體器件制備方法及功率半導(dǎo)體器件
- 封裝框架（TOLT）
- 一種具有集成結(jié)構(gòu)的碳化硅器件及其制備方法
- 一種引線框架
- 具有傾斜J-FET區(qū)域的SiC MOS及制備方法
- 一種氮化鎵模塊及半導(dǎo)體器件
- 一種SiC-MOS器件、逆變器及電子設(shè)備
- 具有時(shí)序差的雙門級(jí)半導(dǎo)體器件及其制備方法
- 氮化鎵功率模塊
- 一種功率器件加工用夾持裝置
- 一種RC-IGBT器件的制備方法及RC-IGBT器件
- 一種氮化鎵模塊
- 氮化鎵器件功率模塊
- 一種分離柵溝槽MOS管器件
- 一種集成驅(qū)動(dòng)電路的功率器件
- 一種芯片結(jié)構(gòu)、功率器件及電子設(shè)備
- 一種MOSFET器件制備方法及MOSFET器件
- 一種氮化鎵功率模塊
- 一種集成GaN的IGBT器件制備方法及IGBT器件
- 一種集成異質(zhì)結(jié)二極管的MOSFET器件及制備方法
- 一種集成JFET的MOS器件制備方法及MOS器件
- 一種結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法、半導(dǎo)體器件
- 一種新型反向?qū)ǖ壒β势骷?/li>
- 一種寬禁帶半導(dǎo)體模塊的封裝結(jié)構(gòu)以及封裝方法
- 一種便于高效散熱反向?qū)ǖ牡壠骷?/li>
- 一種具有可控場(chǎng)板的氮化鎵功率器件
- 一種提升散熱性能的倒裝氮化鎵功率器件
- 一種氮化鎵功率器件
- 一種集成續(xù)流二極管的氮化鎵功率器件以及封裝方法
- 一種便于散熱的氮化鎵器件及驅(qū)動(dòng)元器件的集成模塊
- 一種兼具M(jìn)OSFET與IGBT結(jié)構(gòu)的碳化硅功率器件
- 一種溝槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
- 一種對(duì)稱門極氮化鎵器件及其并聯(lián)結(jié)構(gòu)
- 一種氮化鎵半橋模塊
- 一種門極間低阻抗的氮化鎵器件及其并聯(lián)結(jié)構(gòu)
- 一種便于散熱的氮化鎵功率器件
- 一種單片集成氮化鎵芯片
